Flash
56k
SRAM
4k
ADC ENOB
19.1bits@15.2sps
Gain=128
Gain=128
LCD
4*22段
通讯口
1个 UART、、、、1个 I²C
本芯片是带有LCD驱动和24位高精度ADC的32位MCU的SoC产品,,,提供56KB Flash空间用于存储用户程序。。。
本芯片为32位的系统芯片,,可以字节、、半字(16位)、、、全字(32位)访问,,系统时钟上电默认为8MHz,,,可通过寄存器配置选择不同的时钟作为系统时钟,,,最高可配置为16MHz。。。
本芯片提供四种工作模式,,让用户可以在工作效率和能量消耗方面得到最佳选择,,,,四种模式分别是:正常工作模式、、、、待机(WAIT)模式、、休眠(DOZE)模式和深度休眠(STOP)模式。。。
高精度ADC,,ENOB = 18.2bits@8sps (Gain = 256),,4个差分通道或者8个单端通道
低噪声高输入阻抗前置放大器,,,1、、4、、、8、、、16、、32、、64、、128和256倍增益可选,,, 带offset校正功能
32位MCU(16MHz max),,56k Bytes FLASH,,,,8k Bytes Boot,,4k Bytes SRAM
内置高频RC振荡器,,16MHz,,校准后精度可达±1%
内置低频RC振荡器,,,,32kHz
支持高频晶体振荡器,,,8~16MHz
支持低频晶体振荡器,,,32.768kHz
带RTC模块,,,可以计算年、、、、月、、、、星期、、、、日、、时、、、分和秒,,,可以自动进行闰年计算
带LCD驱动模块,,,,支持22SEG * 4COM、、、20SEG * 6COM和18SEG * 8COM三种驱 动模式;具有超低功耗和大驱动能力设计,,内含程控升压模块,,,可以在低压条件下 维持高亮显示;驱动电压可选,,,,2.7~5.2V
内置传感器激励输出,,,,输出电压可选,,,,2.4~4.5V,,步长为0.3V
内置开短路探测电流(Burnout Detect Current Source)
可输出1.2V的基准
内置正弦波发生器,,输出频率可选:5kHz、、50kHz、、、100kHz和200kHz,,,,支持八电极BIA测脂
内置两个运算放大器OPA和OPB
内置低压检测电路,,包括两个8 bits DAC和一个rail to rail 输入的比较器,,,,以实现 灵活的电池检测和触摸按键检测等功能。。电压检测范围2.0~5.3V
内置硅温度传感器,,,可以单点校正,,,,支持自动正反测
内置1路UART通信接口,,,,待机时RXD下降沿自动唤醒MCU
内置1路I2C通信接口
内置2路独立的16位PWM输出
内置1路捕捉输入口CCP
内置16bits Timer0/1/2,,,,用于定时中断等
内置蜂鸣器输出驱动,,驱动的时钟和频率可设置
2个外部中断,,INT1~0
7个按键中断,,,KEY6~0
所有数字输入口都带施密特触发输入,,,,可选择是否使用上拉电阻,,,上拉电阻阻值为50kΩ
IO大驱动设计,,6个IO的Sinking能力为60mA
工作电压范围:2.4~5.5V
工作温度范围:-40~85℃
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